[发明专利]具有多厚度本征区的PIN二极管在审

专利信息
申请号: 201980079209.2 申请日: 2019-12-02
公开(公告)号: CN113169169A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 蒂莫西·爱德华·博莱斯;詹姆士·约瑟夫·布罗格;约瑟夫·杰勒德·布科夫斯基;玛格丽特·玛丽·巴尔特 申请(专利权)人: 镁可微波技术有限公司
主分类号: H01L27/08 分类号: H01L27/08;H01L29/868;H01L29/66
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王萍;高雪
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 描述了有具有不同本征区的多个二极管的单片、垂直、平面半导体结构。二极管具有彼此相比不同厚度的本征区。在一个示例中,半导体结构包括N型硅衬底、在N型硅衬底上形成的本征层以及本征层上形成的介电层。在介电层中形成多个开口。多个阳极通过介电层中形成的开口顺序地形成至本征层中。例如,第一P型区通过开口中的第一开口以第一深度形成至本征层中,并且第二P型区通过开口中的第二开口以第二深度形成至本征层中。可以以其他深度形成附加P型区。
搜索关键词: 具有 厚度 pin 二极管
【主权项】:
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