[发明专利]具有多厚度本征区的PIN二极管在审
申请号: | 201980079209.2 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN113169169A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 蒂莫西·爱德华·博莱斯;詹姆士·约瑟夫·布罗格;约瑟夫·杰勒德·布科夫斯基;玛格丽特·玛丽·巴尔特 | 申请(专利权)人: | 镁可微波技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08;H01L29/868;H01L29/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;高雪 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了有具有不同本征区的多个二极管的单片、垂直、平面半导体结构。二极管具有彼此相比不同厚度的本征区。在一个示例中,半导体结构包括N型硅衬底、在N型硅衬底上形成的本征层以及本征层上形成的介电层。在介电层中形成多个开口。多个阳极通过介电层中形成的开口顺序地形成至本征层中。例如,第一P型区通过开口中的第一开口以第一深度形成至本征层中,并且第二P型区通过开口中的第二开口以第二深度形成至本征层中。可以以其他深度形成附加P型区。 | ||
搜索关键词: | 具有 厚度 pin 二极管 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的