[发明专利]用于原子层沉积或化学气相沉积的方法及设备在审
| 申请号： | 201980079303.8 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN113169040A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 阿德里安·拉沃伊;约瑟夫·R·阿贝尔;道格拉斯·沃尔特·阿格纽;伊恩·约翰·科廷 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/683;C23C16/44;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种设备，其包含：处理室；前体气体源；反应物气体源；抑制剂气体源；钝化气体源；气体；切换歧管；以及控制器。在第一位置的所述切换歧管提供所述抑制剂气体源与所述气体入口之间的流体连接，其中在第二位置的所述切换歧管提供所述前体气体源与所述气体入口之间的流体连接，其中在第三位置的所述切换歧管提供所述反应物气体源与所述气体入口之间的流体连接，其中在第四位置的所述切换歧管提供所述钝化气体源与所述气体入口之间的流体连接；且其中所述切换歧管防止所述气体入口同时与所述气体源中的至少两者流体连接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 原子 沉积 化学 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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