[发明专利]包含接合到支撑管芯的两侧的存储器管芯的三维半导体芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201980079706.2 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN113169183A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 周非;R·S·马卡拉;A·拉贾谢哈尔;R·沙朗帕尼 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11582;H01L23/00;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种支撑管芯，该支撑管芯包括互补金属氧化物半导体(CMOS)器件、电连接到外围电路的第一子集的前支撑管芯接合垫和电连接到外围电路的第二子集的背侧接合结构。包括第一存储器元件三维阵列的第一存储器管芯接合到支撑管芯。第一存储器管芯的第一存储器管芯接合垫接合到前支撑管芯接合垫。包括第二存储器元件三维阵列的第二存储器管芯接合到支撑管芯。第二存储器管芯的第二存储器管芯接合垫接合到背侧接合结构。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 接合 支撑 管芯 两侧 存储器 三维 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克科技有限责任公司，未经桑迪士克科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980079706.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：放射性免疫缀合物与检查点抑制剂组合疗法
- 下一篇：用于动物的微生物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
