[发明专利]在存储器设备中的编程恢复期间抑制编程干扰在审
| 申请号： | 201980079750.3 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113168877A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 卢庆煌;张正义 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/10;G11C11/56;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在存储器设备中的编程操作的编程恢复阶段期间抑制编程干扰。当编程干扰的风险由于诸如温度、选定字线的位置、编程‑擦除循环的数量和编程脉冲量值的因素而更大时，可增大恢复阶段的持续时间。在其他方法中，通过相对于源极侧字线的电压的斜降提供漏极侧字线的电压的早期斜降、相对于选择栅极电压的斜降提供被抑制NAND串的位线电压的早期斜降、或者相对于漏极侧字线的恢复电压为源极侧字线设置较低的恢复电压，来降低编程干扰的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 设备 中的 编程 恢复 期间 抑制 干扰 | ||
【主权项】：
暂无信息
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