[发明专利]具有弯曲存储器元件的三维平坦NAND存储器器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括导电条带和间隔物条带的交替堆叠，这些交替堆叠位于衬底上方并且通过存储器堆叠组件彼此横向间隔开。这些间隔物条带可包括气隙条带或绝缘条带。这些存储器堆叠组件中的每个存储器堆叠组件包括横向突起区的两个二维阵列。这些横向突起区中的每个横向突起区包括相应的弯曲电荷存储元件。这些电荷存储元件可以是位于相应横向突起区内的离散元件，或者可以是在多个导电条带上方竖直延伸的电荷存储材料层的一部分。这些存储器堆叠组件中的每个存储器堆叠组件可包括横向覆盖在电荷存储元件的相应竖直堆叠上面的两行竖直半导体沟道。