[发明专利]太赫兹装置以及太赫兹装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980080128.4 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN113169137A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 鹤田一魁;柳田秀彰 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/28;H03B7/08 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;王莉莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 太赫兹装置(A1)具备第一树脂层(21)、柱状导电体(31)、布线层(32)、太赫兹元件(11)、第二树脂层(22)以及外部电极(40)。第一树脂层(21)具有第一树脂层主面(211)及第一树脂层背面(212)。柱状导电体(31)具有第一导电体主面(311)及第一导电体背面(312)，在z方向上贯通第一树脂层(21)。布线层(32)跨过第一树脂层主面(221)和第一导电体主面(311)。太赫兹元件(11)具有元件主面(111)及元件背面(112)，进行太赫兹波与电能的转换。第二树脂层(22)具有第二树脂层主面(221)及第二树脂层背面(222)，覆盖布线层(32)及太赫兹元件(11)。外部电极(40)相比第一树脂层(32)配置在第一树脂层背面(222)所朝向的方向侧，与柱状导电体(31)导通。太赫兹元件(11)与布线层(32)导通接合。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
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