[发明专利]用于集成传感器装置的样本井制造技术及结构在审
| 申请号： | 201980080210.7 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN113329819A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 陈国钧;詹姆斯·比奇;凯瑟琳·克罗斯;杰瑞米·雷克伊;杰勒德·施密德 | 申请（专利权）人： | 宽腾矽公司 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成集成装置的方法，其包含：使样本井形成于基板的包覆层内；使牺牲间隔物层形成于该基板上及该样本井中；执行该牺牲间隔物层的定向蚀刻以使牺牲侧壁间隔物形成于该样本井的侧壁上；使提供生物分子的附接位置的功能层形成于该基板上及该样本井中；及移除该牺牲间隔物材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成 传感器 装置 样本 制造 技术 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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