[发明专利]用于微电子器件的直接接合的界面中的电容性耦合在审
| 申请号： | 201980080676.7 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN113169159A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | B·哈巴;A·R·西塔拉姆 | 申请（专利权）人： | 伊文萨思公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/00;H01L23/00;H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了用于微电子器件的直接接合的界面中的电容性耦合。在一实施方式中，微电子器件包括在接合界面处直接接合在一起的第一管芯和第二管芯、通过金属‑金属直接接合在接合界面处形成的第一管芯和第二管芯之间的导电互连件、以及在接合界面处形成的第一管芯和第二管芯之间的电容性互连件。直接接合工艺在两个管芯的介电表面之间产生直接接合，在两个管芯的相应导电互连件之间产生直接接合，以及在接合界面处在两个管芯之间产生电容性耦合。在一实施方式中，每条信号线在接合界面处的电容性耦合包括每条信号线在接合界面处形成电容器的介电材料。电容性耦合产生于相同的直接接合工艺，该相同的直接接合工艺在相同的接合界面处产生直接接合在一起的导电互连件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微电子 器件 直接 接合 界面 中的 电容 耦合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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