[发明专利]摄像元件和摄像装置在审
| 申请号： | 201980082719.5 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN113169203A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 君塚直彥 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H04N5/369;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及能够抑制图像品质劣化的摄像元件和摄像装置。所述摄像元件的像素单位包括：选择晶体管和放大晶体管，它们各者由多栅晶体管构成。例如，所述选择晶体管和所述放大晶体管各者都是FinFET，所述FinFET包括具有鳍形状的硅沟道。此外，例如，所述选择晶体管的栅极和所述放大晶体管的栅极形成于同一个具有鳍形状的硅沟道上。另外，例如，所述选择晶体管的所述硅沟道被注入有热扩散系数比硼或磷的热扩散系数小的离子。此外，例如，所述选择晶体管的栅极电极的材料的功函数不同于所述放大晶体管的栅极电极的材料的功函数。本发明例如可应用于摄像元件、摄像装置或图像处理装置等。 | ||
| 搜索关键词： | 摄像 元件 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
