[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980083173.5 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN113196470A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 富士和则 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;杜嘉璐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具备第一绝缘层、多个第一配线、半导体元件以及密封树脂。上述第一绝缘层具有在其厚度方向上彼此朝向相反侧的第一面及第二面。上述多个第一配线的每一个具有至少一部分埋入上述第一绝缘层的第一埋入部和配置于上述第二面且与上述第一埋入部相连的第一再配线部。上述半导体元件具有设于上述第一面的附近且与上述多个第一配线的上述第一埋入部的至少一部分相连的多个电极。上述半导体元件与上述第一面相接。上述密封树脂覆盖上述半导体元件的一部分，并且与上述第一面相接。沿上述厚度方向观察，上述多个第一配线的上述第一再配线部包括位于比上述半导体元件靠外方的部分。上述第一绝缘层具有从上述第二面朝向上述厚度方向凹陷的多个第一槽。上述多个第一配线的上述第一再配线部与上述多个第一槽相接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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