[发明专利]串联二极管、电路以及电气装置在审

专利信息
申请号: 201980083380.0 申请日: 2019-12-23
公开(公告)号: CN113196502A 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 稻田正树 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L21/329;H01L29/88;H01L29/861;H01L29/868
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王晖
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 串联二极管(TD)具有:第1肖特基势垒二极管(D1),相对于电流被反向连接;第2肖特基势垒二极管(D2),与第1肖特基势垒二极管串联连接,相对于电流被反向连接,第1肖特基势垒二极管以及第2肖特基势垒二极管分别具有如下结构:在形成肖特基结(SB)的金属层(1)与半导体层(2)之间的一部分的区域具有绝缘体层(3),并流过反向的隧道电流。
搜索关键词: 串联 二极管 电路 以及 电气 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社,未经京瓷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980083380.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top