[发明专利]具有含非反射区的反射层的光掩模

摘要

本发明提供了适于极紫外线(EUV)与X射线微影术的包括反射性多层内的非反射区的掩模。此非反射区替代了用于为集成电路提供图案的典型吸收体层。本发明描述了用于在紫外线(UV)、极紫外线(EUV)、和/或软X射线波长下操作的装置与系统中使用的新类型材料与关联组件。本发明涉及EUV光掩模架构，其包含消除对吸收体层的需要、掩模上的阴影效应、3D衍射效应、和缺陷管理的反射区与非反射区。此类材料结构与组合可用于制作组件，例如镜子、透镜、或其他光学组件、面板、光源、光掩模、光阻剂，或用于诸如微影术、晶圆图案化、天文与太空应用、生物医学应用、或其他应用之类的其他组件。