[发明专利]用于化学机械研磨后(POST-CMP)钴衬底的清洗的组合物和方法在审
| 申请号： | 201980083648.0 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN113195698A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | D·怀特;D·弗赖伊;E·托马斯;刘俊;M·怀特 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | C11D11/00 | 分类号： | C11D11/00;C11D3/00;C11D3/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于从上面有残留物和/或污染物的微电子装置清洗所述残留物和/或污染物的清洗组合物。所述组合物包含至少一种络合剂、至少一种清洗添加剂、至少一种pH调节剂、水和至少一种氧胺化合物。有利地，所述组合物展示含钴衬底的有效清洗和经改良的钴相容性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化学 机械 研磨 post cmp 衬底 清洗 组合 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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