[发明专利]包含嵌段共聚物的用于形成硅质膜的组合物以及使用该组合物制造硅质膜的方法有效
申请号: | 201980084458.0 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN113227215B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 藤原嵩士;佐藤敦彦 | 申请(专利权)人: | 默克专利有限公司 |
主分类号: | C08G77/42 | 分类号: | C08G77/42;C08G77/452;C08G77/60;C08G77/62;C09D183/16;H01L21/30;H01L21/56 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘卓然 |
地址: | 德国达*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种用于形成硅质膜的组合物,其能够填充具有窄的宽度和高纵横比的沟槽并获得较厚的膜。用于形成硅质膜的组合物,包含:(a)嵌段共聚物,其具有含有5个以上硅的聚硅烷骨架的直链和/或环状嵌段A和具有含有20个以上硅的聚硅氮烷骨架的嵌段B,以及(b)溶剂。 | ||
搜索关键词: | 包含 共聚物 用于 形成 质膜 组合 以及 使用 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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