[发明专利]电路板、半导体装置和电子设备在审
| 申请号： | 201980084733.9 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN113196478A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 宫本宗;秋下徹;樋渡玄良 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;G06F21/55;G06F21/75;G06F21/87;H01L21/82;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/146;H04N5/357;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本技术涉及一种半导体装置和一种电子设备，其能够实现更有效地反措施来抵御由电磁引起的缺陷。这种半导体装置包括：第一基体，允许透过至少一部分电磁波；第一晶体管组，与被保护信息相关；以及电磁衰减单元，在第一基体和第一晶体管组之间的至少一部分区域中衰减电磁波。例如，本技术可以应用于固态图像拾取装置等。 | ||
| 搜索关键词： | 电路板 半导体 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
