[发明专利]用于真空等离子体处理至少一个衬底或用于制造衬底的真空处理设备和方法在审
| 申请号： | 201980084887.8 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN113169025A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | E·舒格尔;S·吉斯;A·赫尔德 | 申请（专利权）人： | 瑞士艾发科技 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;吕传奇 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在真空处理接受器（3）中，在第一等离子体电极（111）与第二等离子体电极（112）之间生成等离子体，以便对衬底（9）实行真空等离子体处理。为了最小化两个等离子体电极（111，112）中的至少一个被处理过程中得到的沉积的材料所掩埋，该电极（111）被提供有对等离子体电极效应无贡献的区域（30NPL）的表面图案和等离子体电极有效的区域（30PL）的表面图案。两个电极（111，112）之间的电流路径集中在等离子体电极有效的不同区域（30PL）上，从而导致对这些区域（30PL）进行持续的溅射清洁。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 真空 等离子体 处理 至少 一个 衬底 制造 设备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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