[发明专利]肖特基势垒薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201980084910.3 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN113439341A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 宋爱民;张嘉炜;J·威尔逊 | 申请（专利权）人： | 曼彻斯特大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 赵学超 |
| 地址： | 英国曼*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 装置和方法描述了一种肖特基势垒薄膜晶体管(SBTFT)200A。所述SBTFT 200A包括栅极触点(110)、栅极绝缘体层(120)、肖特基源极触点(150)以及与所述源极触点(150)接触的传导氧化物漏极触点(140)。还描述了一种反相器、一种逻辑门、一种集成电路、一种模拟电路、一种用于例如液晶显示器LCD或有机发光二极管显示器OLED的显示器的像素或者一种例如LCD或OLED的显示器，所述反相器、所述逻辑门、所述集成电路、所述模拟电路、用于所述显示器的所述像素或者所述显示器包括这种肖特基势垒薄膜晶体管SBTFT。还描述了一种提供这种肖特基势垒薄膜晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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