[发明专利]晶片传送装置、气相沉积装置、晶片传送方法及外延硅晶片的制造方法在审
| 申请号： | 201980086218.4 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN113544816A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 楢原和宏;辻雅之;胡盛珀 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C23C16/458;H01L21/205;H01L21/677 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李婷;陈浩然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的晶片传送装置包括搬运机构以及将利用搬运机构搬运的硅晶片载置至基座（3）的载置机构，载置机构包括多个升降销（71、72、73）以及使多个升降销（71、72、73）与基座（3）相对移动的相对移动机构，搬运机构与载置机构中至少一者的结构构成为当以多个升降销（71、72、73）支承硅晶片时，特定的升降销（71）最初接触硅晶片的下表面。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 传送 装置 沉积 方法 外延 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
