[发明专利]多束检查装置在审

专利信息
申请号: 201980087246.8 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN113614873A 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 任伟明;张乾;胡学让;刘学东 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: H01J37/147 分类号: H01J37/147
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 赵林琳
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了微结构偏转器阵列(622),微结构偏转器阵列(622)包括多个多极结构(622‑1至622‑47)。微偏转器的偏转器阵列包括具有距阵列中心轴线第一径向偏移的第一多极结构(622‑26、……622‑47)以及具有距阵列中心轴线第二径向偏移的第二多极结构(622‑1)。第一径向偏移大于第二径向偏移,并且第一多极结构包括比第二多极结构更多数量的极电极,以在多个多极结构将多个带电粒子束偏转时减少偏转像差。微结构偏转器阵列可以被包含在多束检查装置的改进的源转换单元中。
搜索关键词: 检查 装置
【主权项】:
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