[发明专利]通过外延横向过生长获得平滑表面的方法在审
| 申请号： | 201980087480.0 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN113287205A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;S.甘德罗图拉 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/46;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于以外延横向过生长获得epi层的平滑表面的方法。该方法不使用错切的取向，也不抑制椎体形小丘的出现，而是将椎体形小丘嵌入epi层中。生长限制掩模用于限制椎体形小丘在横向方向上的扩展。由于椎体形小丘的消失，epi层的表面变得极为平滑。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 外延 横向 生长 获得 平滑 表面 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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