[发明专利]具有双晶体管竖直存储器单元的存储器装置

摘要

一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含存储器单元、第一、第二和第三数据线及第一和第二存取线。所述第一数据线电耦合到第一晶体管的第一沟道区。所述第二数据线电耦合到所述第一沟道区。所述第三数据线电耦合到第二晶体管的第二沟道区，所述第二沟道区电耦合到电荷存储结构且在所述第一晶体管的电荷存储结构和所述第三数据线之间。所述第一存取线位于所述设备的第一层级上。所述第二存取线位于所述设备的第二层级上。所述电荷存储结构位于所述设备的在所述第一和第二层级之间的一层级上。