[发明专利]用于半导体器件中的结终端的系统和方法在审
| 申请号： | 201980092679.2 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN113474896A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·戴利·阿瑟;维克多·马里奥·托雷斯;迈克尔·J·哈提格;列扎·甘迪;戴维·阿兰·利林菲尔德;亚历山大·维克托罗维奇·博洛特尼科夫 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 脱颖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开的主题涉及半导体功率器件，并且更具体地涉及用于宽带隙(例如，碳化硅)半导体功率器件的结终端设计。公开的半导体器件(4)包括设置在衬底层(20)上的第一外延(epi)层(14A)，其中，第一epi层的终端区域(10)具有第一导电类型(例如，n型)的最小epi掺杂浓度。该器件还包括设置在第一epi层上的第二epi层(14Z)，其中，第二epi层的终端区域(10)具有第一导电类型的最小epi掺杂浓度并且包括第二导电类型(例如，p型)的第一多个浮空区，该第一多个浮空区形成器件的第一结终端(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 中的 终端 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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