[发明专利]用于集成二极管场效应晶体管半导体器件的系统和方法在审
| 申请号： | 201980092909.5 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN113491013A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 彼得·阿尔默恩·洛斯;列扎·甘迪;亚历山大·维克托罗维奇·博洛特尼科夫 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L29/45;H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 脱颖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种碳化硅(SiC)半导体器件可以包括限定在具有第一导电类型的第一外延(epi)层中的CB层。该CB层可以包括具有第二导电类型的多个CB区。该SiC半导体器件可以进一步包括设置在该CB层上、具有该第一导电类型的器件epi层。该器件epi层可以包括具有该第二导电类型的多个区。另外，该SiC半导体器件可以包括设置在该器件epi层上的欧姆触点和设置在该器件epi层上的整流触点。该器件的场效应晶体管(FET)可以包括欧姆触点，并且该器件的二极管可以包括整流触点，其中，该二极管和该FET集成在该器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成 二极管 场效应 晶体管 半导体器件 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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