[发明专利]膜结构体、压电体膜及超导体膜在审
| 申请号： | 201980093697.2 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113574690A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 木岛健;小西晃雄 | 申请（专利权）人： | 前进材料科技株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/047 | 分类号： | H01L41/047;H01L41/09;H01L41/187;H01L41/319;B41J2/14;B41J2/16;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
根据本发明，对于各种压电材料，能够将具有单晶的晶体结构的压电体膜形成在本发明的膜结构体之上。本发明的膜结构体具备：基板；形成于所述基板上的、含氧化锆的具有四方晶的晶体结构的缓冲膜；形成于所述缓冲膜上的、外延生长的含铂族元素的金属膜；以及形成于所述金属膜上的、外延生长的含Sr(Ti |
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| 搜索关键词： | 膜结构 压电 超导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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