[发明专利]半导体X射线检测器在审
申请号: | 201980093744.3 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN113544546A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 曹培炎;刘雨润 | 申请(专利权)人: | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
主分类号: | G01T1/24 | 分类号: | G01T1/24;G01T1/16;G01N23/046;G01N23/083 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518071 广东省深圳市南山区桃源街道塘朗*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体X射线检测器(100),其包括:X射线吸收层(110),其包括电极、电子器件层(120)和密封所述X射线吸收层(110)与所述电子器件层(120)之间的电连接(131)之间的空间的壁(130)。所述电子器件层(120)包括:第一电压比较器和第二电压比较器(301,302),其被配置为将电极的电压分别与第一阈值和第二阈值(V1,V2)进行比较;计数器(320),其被配置为记录所述X射线吸收层(110)所吸收的X射线光子的数目;控制器(310),其被配置为:从所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值(V1)的绝对值的时间开始时间延迟(TD1,TD2);在所述时间延迟(TD1,TD2)期间启动所述第二电压比较器(302);如果在所述时间延迟(TD1,TD2)期间所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值(V2)的绝对值,则使所述计数器(320)记录的所述数目增加一。 | ||
搜索关键词: | 半导体 射线 检测器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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