[发明专利]半导体X射线检测器在审

专利信息
申请号: 201980093744.3 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN113544546A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 曹培炎;刘雨润 申请(专利权)人: 深圳帧观德芯科技有限公司
主分类号: G01T1/24 分类号: G01T1/24;G01T1/16;G01N23/046;G01N23/083
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518071 广东省深圳市南山区桃源街道塘朗*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种半导体X射线检测器(100),其包括:X射线吸收层(110),其包括电极、电子器件层(120)和密封所述X射线吸收层(110)与所述电子器件层(120)之间的电连接(131)之间的空间的壁(130)。所述电子器件层(120)包括:第一电压比较器和第二电压比较器(301,302),其被配置为将电极的电压分别与第一阈值和第二阈值(V1,V2)进行比较;计数器(320),其被配置为记录所述X射线吸收层(110)所吸收的X射线光子的数目;控制器(310),其被配置为:从所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值(V1)的绝对值的时间开始时间延迟(TD1,TD2);在所述时间延迟(TD1,TD2)期间启动所述第二电压比较器(302);如果在所述时间延迟(TD1,TD2)期间所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值(V2)的绝对值,则使所述计数器(320)记录的所述数目增加一。
搜索关键词: 半导体 射线 检测器
【主权项】:
暂无信息
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