[发明专利]辐射检测装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201980093755.1 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113544547A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 刘雨润;曹培炎 | 申请（专利权）人： | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518071 广东省深圳市南山区桃源街道塘朗*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了一种用于检测辐射的装置及其制备方法。该方法包括在半导体衬底(102)中形成凹部(104)，其中所述半导体衬底(102)的一部分(107)延伸到所述凹部(104)中并且被所述凹部(104)包围；将半导体纳米晶体(106)沉积到所述凹部(104)中，所述半导体纳米晶体(106)具有与所述半导体衬底(102)不同的组成；在所述半导体衬底(102)中形成第一掺杂半导体区(108)；在所述半导体衬底(102)中形成第二掺杂半导体区(109)；其中所述第一掺杂半导体区(108)和所述第二掺杂半导体区(109)形成将所述部分(107)与所述半导体衬底(102)的其余部分分开的p‑n结。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 检测 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳帧观德芯科技有限公司，未经深圳帧观德芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980093755.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
