[发明专利]半导体基板的制造方法和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980096547.7 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN113841223A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 桧座秀一;西村邦彦;藤川正洋;滝口雄贵;柳生荣治 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张智慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体基板的制造方法，其具备：工序(a)，准备在生长基板的第一主面形成有氮化物半导体层的外延基板和第一支承基板，在生长基板的第一主面与第一支承基板的第一主面之间形成树脂粘接层，将外延基板与第一支承基板贴合；工序(b)，在工序(a)之后，使生长基板的第二主面薄板化；工序(c)，在工序(b)之后，从经薄板化的生长基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第一保护薄膜层；工序(d)，在工序(b)之后，从第一支承基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第二保护薄膜层；工序(e)，在工序(c)和(d)之后，将经薄板化的生长基板除去；工序(f)，在工序(e)之后，在氮化物半导体层上贴合第二支承基板；和工序(g)，在工序(f)之后，将第一支承基板和树脂粘接层除去。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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