[发明专利]柱状半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980097204.2 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN113939907A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 舛冈富士雄;原田望 | 申请（专利权）人： | 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡新加坡市17909*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
Si柱(6a、6b、6c)中的Si柱(6b、6c)的栅极TiN层(24b)于垂直方向上以通道长度整体地接触。在Si柱(6a、6b、6c)、及位于其顶部上的顶部上形成包围遮罩材料层(7a、7b、7c)而且彼此离开的SiO |
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| 搜索关键词： | 柱状 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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