[发明专利]一种NAND存储器及其制作方法

摘要

本发明涉及一种NAND存储器及其制作方法，包括：在衬底上方形成第一半导体层；对第一半导体层进行选定区域掺杂，以形成掺杂区和位于掺杂区周边的非掺杂区；在完成选定区域掺杂的第一半导体层上，形成堆栈结构，堆栈结构包括上下多层交替层叠设置的牺牲层和第二绝缘层；形成穿过堆栈结构、第一半导体层的非掺杂区直达衬底的沟道结构，沟道结构包括第二半导体层和存储功能层；形成穿过堆栈结构的栅线缝隙；通过栅线缝隙去掉第一半导体层中的非掺杂区，以得到位于沟道结构之间的掺杂半导体柱体及空隙区；以及，在空隙区中生长出外延层，从而，在沟道结构受到侵蚀时，位于堆栈结构下方的掺杂半导体柱体能够提供辅助支撑，进而确保堆栈结构的稳固。