[发明专利]一种(100)择优取向的PMN-PZT/PZT异质结构薄膜的制备方法

摘要

本发明公开一种(100)择优取向的PMN‑PZT/PZT异质结构薄膜的制备方法，属于压电薄膜材料制备领域。步骤包括：1)种子层制备。将钛酸四丁酯加入乙酰丙酮溶液，待混合液澄清后加入硝酸锆和乙酸铅，然后加入溶剂乙二醇甲醚，最后再加入甲酰胺作为稳定剂，制备种子层前驱体溶液，将种子层前驱体溶液沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上，经热处理后得到PZT种子层；2)通过射频磁控溅射在种子层上交替沉积PZT和PMN‑PZT，形成异质界面数量为奇数的PMN‑PZT/PZT异质结构薄膜。采用本发明方法能够制得(100)择优取向且电性能优异的PMN‑PZT/PZT异质结构薄膜。