[发明专利]一种3D存储器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种3D存储器件及其制作方法，在衬底上的堆叠层中形成栅极隔槽后，在栅极隔槽的侧壁和底部的表面上形成共源导体层，然后在形成有共源导体层的栅极隔槽内填充第一填充物、第二填充物以及第三填充物，共源导体层、第一填充物、第二填充物和第三填充物共同构成阵列共源极，且第二填充物的应力系数小于第一填充物的应力系数，第一填充物的应力系数小于第三填充物的应力系数。本发明在栅极隔槽中填充应力系数较小的第一填充物和第二填充物可以较大程度的降低阵列共源极的整体应力系数，避免晶圆由于应力而导致的弯曲，提高了存储器件的性能。