[发明专利]半导体结构、三维存储器及制备方法

摘要

本发明提供一种半导体结构、三维存储器及各自的制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供半导体衬底，于半导体衬底上形成叠层结构，叠层结构包括沿X方向划分的存储区及连接区，连接区至少包括第一连接分区及第二连接分区，对第一连接分区的叠层结构进行预设层级数的预设刻蚀，再对第一连接分区剩余的叠层结构进行同步刻蚀，对第二连接分区的叠层结构进行同步刻蚀，得到待形成台阶。本法发明采用预设刻蚀(chop)以及同步刻蚀(trim and etch)相结合的工艺，降低了器件制备的工艺难度减少了掩膜版数量，结合X方向及Y方向的刻蚀实现了需要台阶的制备，切断了Y方向上阶梯的连续性，改善了材料的应力和膨胀，提高了器件的稳定性。