[发明专利]缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备有效
| 申请号： | 202010003659.8 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111210859B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 邱柯妮;朱玉洁;赵雪;夏立雪 | 申请（专利权）人： | 首都师范大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C7/08 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 岳凤羽 |
| 地址： | 100089 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备，应用于计算机与电子信息技术领域，其中，方法包括获取所述交叉阵列中各传感放大器的放大系数；根据所述放大系数调整对应的所述传感放大器的放大倍数，所述传感放大器用于根据所述放大系数对其对应阵列输出端的电流进行补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 缓解 忆阻器 交叉 阵列 通路 影响 方法 相关 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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