[发明专利]镓铝砷外延材料表面金属层返工的方法在审
| 申请号： | 202010003790.4 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111146080A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 罗宇杰;吴质朴;何畏 | 申请（专利权）人： | 深圳市奥伦德元器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 孙浩 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种镓铝砷外延材料表面金属层返工的方法，包括：对包含碘化铵和碘的混合溶液进行降温处理；将待返工的镓铝砷晶圆浸泡至混合溶液中，若达到预设的第一浸泡时间，取出镓铝砷晶圆并采用去离子水进行一次清洗；对硫酸溶液进行加热处理；将经过一次清洗后的镓铝砷晶圆浸泡至硫酸溶液中，若达到预设的第二浸泡时间，取出镓铝砷晶圆并采用去离子水进行二次清洗；若经过二次清洗后的镓铝砷晶圆表面检查无缺陷，对镓铝砷晶圆进行三次清洗和蒸镀金属层。本发明能够保证质量的同时有效地去除鎵铝砷材料表面的金属层，而且还能够达到晶圆表面抛光的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 镓铝砷 外延 材料 表面 金属 返工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
