[发明专利]一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010005540.4 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111048408B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 谭在超;罗寅;丁国华 | 申请（专利权）人： | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 叶倩 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法，该器件包括碳化硅衬底、位于碳化硅衬底之上的碳化硅外延层、位于碳化硅外延层之上的栅介质层、位于栅介质层之上的层间介质层，在碳化硅衬底的背部沉积金属形成漏极接触，在碳化硅外延层与栅介质层之间由下往上设有P阱2区和P阱1区，在P阱1区中设有P型和N型杂质离子区，在栅介质层上设有栅极，在层间介质层上沉积金属层以形成源极。该器件的制造方法中利用P阱2制作侧墙，使N+源区自对准P阱2以形成沟道长度L，并将源区的P阱分开，使N‑外延与源端金属接触，由于N‑外延浓度较淡，其与源端金属将形成肖特基接触，从而将肖特基二极管集成到短沟道的碳化硅MOSFET中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 肖特基 二极管 沟道 碳化硅 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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