[发明专利]一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料在审
| 申请号： | 202010005579.6 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111099898A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 田鹏 | 申请（专利权）人： | 常州市申鑫新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/632;C04B35/634;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料，包含如下步骤：制备SiC复合浆料，首先使用SiC微粉配制得到固含量为30‑70%的SiC浆料，然后按照SiC∶Au∶Ag：Pd为（50‑60）∶（0.3‑0.6）∶1：（0.02‑0.05）的质量比加入金粉和银粉和钯粉，混合均匀，得到SiC复合浆料；流延成型，对得到的SiC复合浆料除泡混合均匀后，进行流延得到SiC复合流延膜；流延膜素烧，对得到的流延膜进行素烧，得到SiC复合素坯；真空烧结，将SiC符合素坯在真空状态下烧结，得到铝基碳化硅。本发明的有益效果：通过采用凝胶流延法制备铝基氮化铝，工艺简单，得到的产品成分分布均匀，气孔率低，半导体性能优越，且通过引入金、银和钯粉，充分改善烧结性能，进一步降低烧结温度，节能环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 高密度 封装 半导体 复合材料 | ||
【主权项】：
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