[发明专利]一种钨基扩散阴极的增材制造制备方法在审
| 申请号： | 202010006398.5 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111036914A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 王金淑;骆凯捷;杨韵斐;周帆;梁轩铭;刘伟;陈树群 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | B22F3/11 | 分类号： | B22F3/11;B22F5/10;B22F3/24;B22F1/00;B33Y10/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种钨基扩散阴极的增材制造制备方法，属于热阴极电子发射材料的制备技术领域，采用可三维立体成型的激光选区熔化(SLM)技术制备了阴极多孔钨基，并对激光能量与多孔钨基致密度的关系进行了研究。研究结果表明采用激光功率P＝160W，扫描速度V＝1600mm/s，扫描间距D＝0.10mm的制备工艺能够获得相对密度为65.7％的阴极基体，且能够满足阴极后续制备加工的需求，其活性盐浸渍量达13％。对该阴极发射性能进行测试，结果显示该阴极发射性能能够达到传统钡钨阴极材料的发射性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 阴极 制造 制备 方法 | ||
【主权项】：
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