[发明专利]一种基于P-型SOI衬底的TVS保护器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010007112.5 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111029399A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 蒋骞苑;苏海伟;赵德益;赵志方;吕海凤;张啸;王允;张彩霞 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明一种基于P‑型SOI衬底的TVS保护器件，采用P‑型SOI衬底硅片，由金属框架封装，P‑型SOI衬底自下而上包括P‑衬底、氧化埋层和P‑层，有IO端、VCC端、接地端三端，可以同时保护电路中的IO信号端和电源V |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 衬底 tvs 保护 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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