[发明专利]一种共掺杂红光荧光发光纳米晶材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010008274.0 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN111073647A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 陆阳清;王凯;陈泽楷;张鑫洋 | 申请（专利权）人： | 杭州众道光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/84 | 分类号： | C09K11/84;G01N21/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 311231 浙江省杭州市萧山*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种共掺杂红光荧光发光纳米晶材料及其制备方法和应用，该纳米晶材料在254nm激发条件下，Eu3+离子的发光强度随着Pb2+离子浓度的增加而不断减弱，在311nm激发条件下，Eu3+离子的发光强度随不随Pb2+离子浓度的增加而改变，两者的比值可以应用于比率型Pb2+离子检测,比率型荧光检测方法不受外界因素的干扰，具有更好的准确性,在254nm激发条件下，Eu3+离子的发光强度随着Pb2+离子浓度的增加而持续减弱，在311nm激发条件下，Eu3+离子的发光强度随不随Pb2+离子浓度的增加而改变，两者的比值可以应用于比率型Pb2+离子检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 红光 荧光 发光 纳米 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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