[发明专利]半导体器件和显示装置在审
申请号: | 202010008900.6 | 申请日: | 2020-01-06 |
公开(公告)号: | CN111430367A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 山口阳平;羽生有一郎;日高大贵 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 邸万杰;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件和显示装置。所述半导体器件包括:第一氧化物半导体层;与所述第一氧化物半导体层相对的第一栅极电极;所述第一氧化物半导体层与所述第一栅极电极之间的第一栅极绝缘层;覆盖所述第一氧化物半导体层,并且设置有第一开口的第一绝缘层;设置在所述第一绝缘层的上方和所述第一开口的内部,与所述第一氧化物半导体层电连接的第一导电层;和设置在所述第一绝缘层的上表面与所述第一导电层之间的氧化物层,在俯视时不与所述第一导电层重叠的区域中,所述第一绝缘层从所述氧化物层露出。由此,实现一种能够对作为半导体器件的沟道使用的氧化物半导体充分地供给氧,并且抑制氧从该氧化物半导体脱离的构造的半导体器件。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 显示装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的