[发明专利]一种非晶钨基高熵合金薄膜材料及制备方法有效
| 申请号： | 202010009169.9 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111218657B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王喆;沈琦;王波;张铭;吕广宏 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/30;C23C14/28 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种非晶钨基高熵合金薄膜材料及制备方法，属于高熵合金薄膜材料技术领域。为WTaCrVTiZrAl七元高熵合金，各元素在高熵合金中所占原子百分比范围为：W 10‑40％，Ta 5‑30％，Cr 5‑25％，V 5‑15％，Ti 5‑15％，Zr 5‑25％，Al 5％‑20％，该合金为非晶相，其X射线衍射(XRD)半峰宽均大于3°。本发明不用低温就能制备高熵非晶合金材料，采用常规的合金薄膜的制备方法如磁控溅射、脉冲激光沉积、电子束蒸发等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非晶钨基高熵 合金 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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