[发明专利]一种MIS-硅异质结太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 202010009879.1 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN111211194B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 汤叶华;王科范 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L31/062 | 分类号： | H01L31/062;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 475001*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种MIS‑硅异质结太阳电池及其制备方法，所述一种MIS‑硅异质结太阳电池，包括载流子传输层(M)、载流子遂穿层(I)和半导体吸收层(S)。所述载流子传输层(M)由前表面载流子传输层(FM)和背表面载流子传输层(BM)构成，所述载流子遂穿层(I)由前表面钝化层(FI)和背表面钝化层(BI)构成，所述半导体吸收层(S)为半导体硅片材料。所述MIS‑硅异质结太阳电池的制备流程为：硅片(S)选取→硅片表面腐蚀、清洗→载流子遂穿层(I)制备→载流子传输层(M)沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mis 硅异质结 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南大学，未经河南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010009879.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
