[发明专利]掩膜版图形、半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010010444.9 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN113078048A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 舒强;张迎春;覃柳莎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;G03F1/76 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种掩膜版图形、半导体结构及其形成方法，其中掩膜版图形包括：第一掩膜版图形，所述第一掩膜版图形包括若干第一目标图形，若干所述第一目标图形沿第一方向排列；第二掩膜版图形，所述第二掩膜版图形包括若干第二目标图形，若干所述第二目标图形沿第一方向排列；当所述第一掩膜版图形和所述第二掩膜版图形重合时，一个所述第一目标图形与一个所述第二目标图形部分重叠。所述掩膜版图形的图案密度较好。 | ||
| 搜索关键词： | 版图 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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