[发明专利]一种大批量制备高质量氮化铝模板的加热装置及制备方法在审
申请号: | 202010010908.6 | 申请日: | 2020-01-06 |
公开(公告)号: | CN111048453A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 吴亮;王琦琨;刘欢;雷丹;黄嘉丽;龚建超;朱如忠;黄毅 | 申请(专利权)人: | 奥趋光电技术(杭州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/20;H01L21/203;H01L21/205;H01L33/00 |
代理公司: | 北京专赢专利代理有限公司 11797 | 代理人: | 李斌 |
地址: | 311100 浙江省杭州市余*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种大批量制备高质量氮化铝模板的加热装置及制备方法,要解决的是现有高质量氮化铝模板制备中加热装置无法满足大批量制备氮化铝模板需求的问题。本发明包括保温屏、支撑平台和安装部件,所述支撑平台和安装部件均安装在保温屏的内部,支撑平台的下端固定有升降电机并且安装部件固定在支撑平台上端,安装部件的上方安装有上加热器和上温度监控仪,安装部件的下方安装有下加热器和下温度监控仪。本发明通过批量大批量制备高质量氮化铝模板的加热装置的设计、精确的均匀温度控制及氮化铝模板优化工艺,结合数值模拟仿真技术对系统热场设计进行优化,实现批量制备高品质的氮化铝模板。 | ||
搜索关键词: | 一种 大批量 制备 质量 氮化 模板 加热 装置 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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