[发明专利]用于静电防护的晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010011505.3 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN111180421B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王炜槐;陆阳 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开一种用于静电防护的晶体管结构及其制造方法，晶体管结构包括：衬底和形成于所述衬底上部的第一掺杂区；形成于所述衬底表面的多个场氧化层；形成于所述第一掺杂区中部的第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂类型相反；形成于所述第一掺杂区上部的第一N型阱区、第一P型阱区、第二P型阱区和第二N型阱区；分别形成于所述第一N型阱区和所述第二N型阱区中的第一N+区域和第二N+区域；以及形成于所述第一掺杂区上部且位于所述第二掺杂区上方的P+区域，其中，所述第二掺杂区位于所述第一P型阱区和所述第二P型阱区之间，且分别与所述第一P型阱区和所述第二P型阱区连接。使得器件能保持良好的静电防护能力和很高的鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静电 防护 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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