[发明专利]一种不同层间距二硫化钼纳米材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种不同层间距二硫化钼纳米材料的制备方法。所述方法包括以下步骤：1)将钼源和硫源溶于去离子水中得混合溶液；2)搅拌至完全溶解后，倒入密闭的聚四氟乙烯反应釜中，在不同温度下保持一定时间；3)冷却至室温，将溶液置入离心管自然沉淀，水洗三次，冷冻干燥即得二硫化钼纳米材料。特别地，在180‑220℃的范围内，本发明可得到层间距为的二硫化钼，而温度过高，即235℃的时候，所得到的产品层间距则会减小为本发明采用一步水热法制备二硫化钼，原料价廉易得，合成装置简单，制备方法可操作性强，可以迅速大量地合成比表面积大，结构稳定的不同层间距的二硫化钼纳米材料。