[发明专利]一种基于金属电沉积的电致变发射率器件及制备方法有效
申请号: | 202010012560.4 | 申请日: | 2020-01-07 |
公开(公告)号: | CN111025812B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 刘东青;李铭洋;程海峰;彭亮;彭任富 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科技大学 |
主分类号: | G02F1/155 | 分类号: | G02F1/155;G02F1/1524;C25D7/00 |
代理公司: | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人: | 邱轶 |
地址: | 410073 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开一种基于金属电沉积的电致变发射率器件及制备方法,该器件从上到下依次包括工作电极、电解质层和对电极;工作电极包括基片和金属薄膜,基片的下侧沉积有金属薄膜;电解质层包括多孔隔膜和电解质,电解质浸润在所述多孔隔膜中;电解质包括含金属离子的电致变色材料和溶剂,所述金属离子为能够实现可逆电沉积和溶解的金属离子且所述金属离子的金属与所述金属薄膜用金属不同;该制备方法包括选择基片并清洗、干燥;在基片一侧沉积金属薄膜;制备电解质层;制备对电极;组装,本发明提供的器件能耗低、结构简单、发射率变化幅度大、宽波段和变化均匀;本发明提供的制备方法工艺简单,制备周期短,可用于工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 金属 沉积 电致变 发射 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
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