[发明专利]一种铌酸锂光波导器件及其制备方法在审
申请号: | 202010012639.7 | 申请日: | 2020-01-07 |
公开(公告)号: | CN111175892A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 帅垚;高琴;吴传贵;罗文博;乔石珺;张万里 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12;G02B6/122 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 闫树平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种铌酸锂光波导器件的制备方法,属于光通信技术领域。本发明引入新的包层结构,通过离子注入、旋涂BCB、键合、退火等工艺获得微米量级的铌酸锂薄膜光波导器件,工艺上利于脊型波导的制备,并且最终制备的光波导有效减少了传输损耗,增大光的束缚性;本发明选用BCB作为键合介质材料,常温下作为粘合剂,能够将铌酸锂薄膜与衬底有效结合在一起,退火后BCB固化,并作为波导包层,后续对铌酸锂薄膜的掩膜刻蚀工艺简便,也不会对铌酸锂薄膜造成损坏;铌酸锂的光折射率为2.2,大于BCB的折射率1.5并大于空气的折射率1,可以将光很好的约束在波导中,从而不需要进行质子交换即可实现优异的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 铌酸锂光 波导 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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