[发明专利]冷却设备及待冷却件的冷却方法有效
| 申请号： | 202010013039.2 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111106046B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 罗佳明;顾立勋 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了冷却设备及待冷却件的冷却方法。其中，冷却设备包括冷却装置，惰性气体进气装置，以及排气装置。其中，冷却装置具有冷却空间。惰性气体进气装置连接冷却装置，惰性气体进气装置用于向冷却空间内通入惰性气体。排气装置连接冷却装置，排气装置用于排出冷却空间内的气体。通过在冷却设备中增设惰性气体进气装置，利用惰性气体进气装置来向冷却空间内通入惰性气体，而冷却空间内原本的空气可从排气装置中排出。最后导致当处于高温的待冷却件进入冷却空间时，待冷却件的周缘均为惰性气体。由于惰性气体不与待冷却件进行反应，且待冷却件周缘不存在氧气，因此待冷却件便无法与氧气发生反应从而生成氧化层，有效地保护了待冷却件。 | ||
| 搜索关键词： | 冷却 设备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010013039.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：PET降解生物催化剂及其应用
- 下一篇：一种加油站油气回收系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
