[发明专利]包含两种不同类型的氮化硅的集成组合件及形成集成组合件的方法

摘要

本申请案涉及包含两种不同类型的氮化硅的集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，其具有沿第一方向延伸的位线结构。所述位线结构包含导电位线，且包含在所述导电位线上方且沿所述导电位线的侧壁延伸的绝缘壳。所述绝缘壳包含第一氮化硅成分。所述位线结构彼此被中介区域隔开。半导体结构及绝缘垫片在所述中介区域内。所述半导体结构及绝缘垫片沿所述第一方向彼此交替。所述绝缘垫片包含第二氮化硅成分，所述第二氮化硅成分的特征为相比于所述第一氮化硅成分具有较快地被含有硫酸及过氧化氢的混合物蚀刻的速率。一些实施例包含形成集成组合件的方法。